單晶硅造句

單晶硅造句

• 1、在倫敦上市的浙江昱輝也生產(chǎn)硅片，但只是單晶硅硅片，這比江西賽維生產(chǎn)的多晶硅硅片和硅錠，光電轉(zhuǎn)化率要低。
• 2、采用截面顯微觀察法和擇優(yōu)蝕刻法對(duì)電火花線切割單晶硅產(chǎn)生的亞表面損傷層進(jìn)行檢測(cè)。
• 3、本文敘述了采用單晶硅壓阻效應(yīng)制作真空變送器的機(jī)理和關(guān)鍵工藝．給出了測(cè)量結(jié)果和結(jié)論，討論了該元件應(yīng)用范圍等問(wèn)題。
• 4、多晶硅作為信息產(chǎn)業(yè)最基礎(chǔ)的原材料，隨著單晶硅市場(chǎng)急劇擴(kuò)大而引起了嚴(yán)重的資源匱乏問(wèn)題。
• 5、單點(diǎn)切削試驗(yàn)是以不同的法向載荷及切削速度在三種材料（合金鋁、單晶鍺及單晶硅）上分別進(jìn)行。
• 6、研究了過(guò)渡族金屬鎳在快速熱處理作用下對(duì)直拉單晶硅中潔凈區(qū)形成的影響。
• 7、簡(jiǎn)要介紹硬質(zhì)合金、壓電陶瓷和單晶硅的加工特點(diǎn)及利用超聲微細(xì)加工這三種材料的優(yōu)勢(shì)。
• 8、通過(guò)以上研究可以得出結(jié)論，摻氮直拉單晶硅可以在太陽(yáng)電池中應(yīng)用。
• 9、在此基礎(chǔ)上，依照材料的靜電燒蝕機(jī)制計(jì)算單晶硅的燒蝕閾值，結(jié)果和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)符合的較好。
• 10、單晶硅退火處理時(shí)，往往造成外來(lái)雜質(zhì)的沾污，降低少子壽命，造成質(zhì)量下降。
• 11、“一方面，最有效率的太陽(yáng)能電池是用單晶硅制成的，但這種材料很貴，”阿爾伯托·威森廷說(shuō)。
• 12、游離磨料線鋸切割技術(shù)是目前單晶硅切片的主要加工方法。
• 13、多晶硅電池含有細(xì)小顆粒的單晶硅，它含有很多細(xì)小光亮的成分。
• 14、本實(shí)驗(yàn)通過(guò)系統(tǒng)地改變沉積參數(shù)，在經(jīng)過(guò)清洗好的單晶硅片上沉積了一系列的氮化硅薄膜。
• 15、用壓痕功法對(duì)單晶硅的壓痕硬度進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究，并與其它方法進(jìn)行了比較分析。
• 16、最后，討論了原生直拉單晶硅中銅沉淀規(guī)律的機(jī)理。
• 17、單晶硅和多晶硅體太陽(yáng)能電池成本居高不下，非晶硅和非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池又有光致衰退效應(yīng)的困擾。
• 18、單晶硅、鍺的超精密車削表面存在明暗相間的分布特征。
• 19、研究金剛石砂輪磨削單晶硅片時(shí)的表面磨削溫度。